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08
2018
第一種：雪崩破壞
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V（BR）DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。
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2018
金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導
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24
2018
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。
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17
2018
MOS管相對于三極管或者是二極管是一種新型的半導體。很多時候在選擇MOS管的時候很容易困惑，今天小編就為大家解答一下MOS管的優劣勢。
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03
10
2018
大家在選擇三級管和MOS管時，有時會困惑兩者的區別。接下來廣州飛虹半導體廠家為大家講解兩者的不同，希望可以幫助到你們。
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01
2018
大家在選擇MOS管的過程中，經常會被品牌交換參數的對應問題困擾。很多時候大家只關注了電流電壓滿足請求，卻很少在性能上做比擬。
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08
2018
更換二極管的時候盡可能地用同型號的二極管更換。選配二極管的時候要注意些什么呢？下面由MOS管廠家廣州飛虹告訴您：
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2018
溫升的測量主要包括MOS開關管、變壓器、輸出整流二極管和輸出電容等關鍵功率元件表面溫升的測量，常用的測量儀器有紅外測溫儀和熱電偶測量儀。
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24
2018
MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。
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18
2018
晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。在電子元件家族中，三極管屬于半導體主動元件中的分立元件。
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10
2018
因為MOS管屬于精密電子元件，在運行中電流源源不斷地通過起重，所以一旦出現電涌等瞬間電流或電壓增加的情況就可能造成擊穿或燒毀，盡管在制作過程中采用了一定的措施進行保護，但是并不能從根本上排除這類問題出現的誘因，所以在使用的時候應當注意以下問題：
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05
2018
晶體三極管具有電流放大作用，其實質是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量,這是三極管最基本的和最重要的特性。
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27
2017
金屬氧化物半導體場效應(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場效應晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時，柵極下的N型硅表面呈現P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。
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20
2017
變壓器有兩個繞組，初級繞組和次級繞組實現了隔離，初級和次級的匝數比變化實現了電壓縮放，對于我們的設計一般不太需要調整電壓，隔離卻是我們最注重的。
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14
2017
場效應晶體管簡稱場效應管，是應用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，它屬于電壓控制型半導體器件。
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07
2017
場效應管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動作的晶體管。按照結構、原理可以分為：
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29
2017
晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。那么二三極管損壞又有什么表現呢？今天半導體廠家—廣州飛虹為您淺析二三極管損壞的表現。
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23
2017
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。 下面是我對MOS管電路工作原理詳解，其中參考了一些資料，非原創。
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17
2017
MOS管經常用于電路的開關控制，通過改變柵極(gate)的電壓來使漏級(drain)和源級(source)導通或截斷。但是mos管的柵極不能浮空你知道嗎？今天半導體廠家—廣州飛虹通過下面的電路圖為大家分析一下為什么不可以浮空的原因～
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10
2017
許多人都曉得MOS管關于整個供電系統起著穩壓的作用，但是MOS管不能單獨運用，它必需和電感線圈、電容等共同組成的濾波穩壓電路，才干發揮充沛它的優勢。
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