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    你不得不知道的MOS管選擇四大法則

    文章作者:飛虹半導體 瀏覽量:4198 類型:行業資訊 日期:2017-09-29 15:35:30 分享:

    MOS管,它在電路中是常用到的,因而我們對于它的選取是要重視的。正確選擇MOS管是硬件工程師經常遇到的問題,更是很重要的一個環節,MOS管選擇不好,有可能影響到整個電路的效率和成本,下面有半導體廠家—飛虹為您總結出如何正確選取MOS管的四大法則。





    法則之一:用N溝道orP溝道

    選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中,當一個MOS管接地,而負載連接到干線電壓上時,該MOS管就構成了低壓側開關。在低壓側開關中,應采用N溝道MOS管,這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOS管連接到總線及負載接地時,就要用高壓側開關。


    法則之二:確定MOS管的額定電流

    該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似,確保所選的MOS管能承受這個額定電流,MOS管即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下,MOS管處于穩態,此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流,只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。


    法則之三:選擇MOS管的下一步是系統的散熱要求

    須考慮兩種不同的情況,即最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果,因為這個結果提供更大的安全余量,MOS管能確保系統不會失效。


    法則之四:選擇MOS管的最后一步是決定MOS管的開關性能

    影響開關性能的參數有很多,但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗,因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此被降低,器件效率也下降。為計算開關過程中器件的總損耗,要計算開通過程中的損耗(Eon)和關閉過程中的損耗(Eoff)。


    MOS的選擇很重要,關系到日后整個電路工作的運行。廣州飛虹主要研發、生產、經營:場效應管、三極管等半導體器件,更多關于半導體知識,歡迎繼續關注我們。

    熱門標簽:MOS管

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